IXYA20N65C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO263-2, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 660 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

IGBT 650V 50A 200W Surface Mount TO-263AA

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYA20N65C3D1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2112437

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-263AA

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

Current - Collector Pulsed (Icm)

105A

Gate Charge

30nC

Power - Max

200W

Switching Energy

430ВµJ (on), 650ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

19ns/80ns

Test Condition

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Вес, г

2.5

Series

XPTв„ў, GenX3в„ў ->

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXYA20N65C3D1 , pdf , 250 КБ

IXYA20N65C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO263-2 - характеристики, поставщики

Последняя цена 660 руб.

Техническая документация