ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXXK110N65B4H1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXXK110N65B4H1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXXK110N65B4H1, IGBT
Последняя цена
1200 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXXK110N65B4H1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1254011
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
TO-264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Base Product Number
110N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264 (IXXK)
Transistor Configuration
Одинарный
Energy Rating
3mJ
Длина
20.29мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
570 А
Максимальное рассеяние мощности
880 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
26.59мм
Число контактов
3
Размеры
20.29 x 5.31 x 26.59мм
Скорость переключения
10 → 30кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
240A
Current - Collector Pulsed (Icm)
630A
Gate Charge
183nC
Power - Max
880W
Switching Energy
2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
38ns/156ns
Test Condition
400V, 55A, 2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
100ns
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
PT
Ширина
5.31мм
Конфигурация
Single
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
880 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
240 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
110 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
25
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-264-3
Серия
Trench - 650V - 1200V GenX23
Технология
Si
Series
GenX4в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 391 КБ
