ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXXK100N60C3H1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXXK100N60C3H1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXXK100N60C3H1, IGBT
Последняя цена
2250 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXXK100N60C3H1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1254010
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
TO-264
Base Product Number
IXX*N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA Variation
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264 (IXXK)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
20.29mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
100 А
Maximum Power Dissipation
695 W
Energy Rating
600mJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.31мм
Pin Count
3
Dimensions
20.29 x 5.31 x 26.59mm
Switching Speed
20 → 60kHz
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
26.59mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
170A
Current - Collector Pulsed (Icm)
340A
Gate Charge
150nC
Power - Max
695W
Switching Energy
2mJ (on), 950ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
30ns/90ns
Test Condition
360V, 70A, 2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
140ns
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
IGBT Type
PT
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
695 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
170 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
25
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-264
Серия
IXXK100N60
Технология
Si
Series
GenX3в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXXK100N60C3H1 , pdf
, 240 КБ
