ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXXH30N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXXH30N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXXH30N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3
Последняя цена
750 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXXH30N65B4
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2169369
Технические параметры
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247 (IXXH)
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
65A
Current - Collector Pulsed (Icm)
146A
Gate Charge
52nC
Power - Max
230W
Switching Energy
1.55mJ (on), 480ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
32ns/170ns
Test Condition
400V, 30A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
PT
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Pd - рассеивание мощности
230 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.66 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
65 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
30 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247AD-3
Серия
IXXH30N65
Технология
Si
Series
GenX4в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXXH30N65B4 , pdf
, 170 КБ
Datasheet IXXH30N65B4 , pdf
, 1072 КБ