IXTY4N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO252, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTY4N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2191941

Технические параметры

Вес, г

0.35

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

80 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

850 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

8.3 nC

Время нарастания

28 ns

Время спада

25 ns

Типичное время задержки выключения

57 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

80W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IXTY4N65X2 , pdf , 314 КБ

IXTY4N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO252 - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация