IXTY2N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 2 Amps 1000V 7.5 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTY2N100P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2096776

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.35

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTY2N100

Торговая марка

IXYS

Длина

6.73 mm

Высота

2.38 mm

Id - непрерывный ток утечки

2 A

Pd - рассеивание мощности

86 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

29 ns

Время спада

27 ns

Типичное время задержки выключения

80 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Техническая документация

Datasheet IXTY2N100P , pdf , 257 КБ

IXTY2N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.

Техническая документация