IXTY01N100, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO252 - характеристики, поставщики

IXTY01N100, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO252

Сравнить

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTY01N100

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2098911

Вес, г

0.35

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

100mA(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

25W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1000V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 25uA