ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTT120N15P, Транзистор N-МОП, полевой, 150В, 120А, 600Вт, TO268 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTT120N15P, Транзистор N-МОП, полевой, 150В, 120А, 600Вт, TO268
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTT120N15P, Транзистор N-МОП, полевой, 150В, 120А, 600Вт, TO268
Последняя цена
940 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор POLAR HT МОП-транзистор 150V 120A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTT120N15P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2146340
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
4.02
Mounting Type
Surface Mount
Ширина
16.05 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
30
Серия
IXTT120N15
Тип
PolarHT Power MOSFET
Торговая марка
IXYS
Длина
14 mm
Высота
5.1 mm
Id - непрерывный ток утечки
120 A
Pd - рассеивание мощности
600 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
40 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-268-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-268
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
16 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Series
PolarHTв„ў ->
Qg - заряд затвора
150 nC
Время нарастания
42 ns
Время спада
26 ns
Коммерческое обозначение
PolarHT
Типичное время задержки выключения
85 ns
Типичное время задержки при включении
33 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXTT120N15P , pdf
, 214 КБ
Datasheet IXTT120N15P , pdf
, 168 КБ