IXTT100N25P, Транзистор N-МОП, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO268, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2040 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 100 Amps 250V 0.027 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTT100N25P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2147743

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

4.07

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

16.05 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTT100N25

Тип

PolarHT Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

14 mm

Высота

5.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

600 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-268-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

27 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

600W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

PolarHTв„ў ->

Qg - заряд затвора

185 nC

Время нарастания

26 ns

Время спада

28 ns

Коммерческое обозначение

PolarHT

Типичное время задержки выключения

100 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 271 КБ
Datasheet IXTT100N25P , pdf , 316 КБ

IXTT100N25P, Транзистор N-МОП, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO268 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2040 руб.

Техническая документация