IXTQ96N20P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 810 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 96 Amps 200V 0.024 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ96N20P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2123844

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.32

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTQ96N20

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

96 A

Pd - рассеивание мощности

600 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

24 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

96A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

600W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

PolarHTв„ў ->

Qg - заряд затвора

145 nC

Время нарастания

30 ns

Время спада

30 ns

Типичное время задержки выключения

75 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

96A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

600W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTQ96N20P , pdf , 240 КБ

IXTQ96N20P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 810 руб.

Техническая документация