IXTQ82N25P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 910 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 82 Amps 250V 0.035 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ82N25P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2108849

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.31

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.9 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTQ82N25

Торговая марка

IXYS

Длина

15.8 mm

Высота

20.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

82 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

35 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

82A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 41A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

PolarHTв„ў ->

Время нарастания

20 ns

Время спада

22 ns

Типичное время задержки выключения

78 ns

Типичное время задержки при включении

29 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

142nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

82A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

500W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

250V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 160 КБ

IXTQ82N25P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 910 руб.

Техническая документация