IXTQ69N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 69А, 500Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1080 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 69 Amps 300V 0.049 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ69N30P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2166580

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-3P

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.32

Ширина

4.9 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTQ69N30

Торговая марка

IXYS

Длина

15.8 mm

Высота

20.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

69 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

49 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

25 ns

Время спада

27 ns

Типичное время задержки выключения

75 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

Polar Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

300В

Непрерывный Ток Стока

69А

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Рассеиваемая Мощность

500Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.049Ом

Техническая документация

Datasheet , pdf , 285 КБ
Datasheet IXTQ69N30P , pdf , 166 КБ

IXTQ69N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 69А, 500Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 1080 руб.

Техническая документация