IXTQ60N20T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 414 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 200V 60A (Tc) 500W (Ta) сквозное отверстие TO-3P

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ60N20T

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1743584

Технические параметры

Вес, г

5.295

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-3P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 30A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IXTP60N20T , pdf , 139 КБ

IXTQ60N20T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 414 руб.

Техническая документация