IXTQ50N20P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 50А, 360Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 680 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 50 Amps 200V 0.06 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ50N20P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2111828

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.28

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.9 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTQ50N20

Тип

PolarHT Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

15.8 mm

Высота

20.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

360 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

12 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

60 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2720pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 50A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

PolarHTв„ў ->

Qg - заряд затвора

70 nC

Время нарастания

35 ns

Время спада

30 ns

Коммерческое обозначение

PolarHT

Типичное время задержки выключения

70 ns

Типичное время задержки при включении

26 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet , pdf , 161 КБ

IXTQ50N20P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 50А, 360Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 680 руб.

Техническая документация