IXTQ26N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 770 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTQ26N50P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113345

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.5

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.9 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTQ26N50

Торговая марка

IXYS

Длина

15.8 mm

Высота

20.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

26 A

Pd - рассеивание мощности

400 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

31 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

230 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

26A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

400W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250ВµA

Series

PolarHVв„ў ->

Qg - заряд затвора

65 nC

Время нарастания

25 ns

Время спада

20 ns

Типичное время задержки выключения

58 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTQ26N50P , pdf , 379 КБ

IXTQ26N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 770 руб.

Техническая документация