ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP60N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 60А, 500Вт, TO220-3, 118нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP60N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 60А, 500Вт, TO220-3, 118нс
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTP60N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 60А, 500Вт, TO220-3, 118нс
Последняя цена
810 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор Trench POWER МОП-транзисторs 200v, 60A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP60N20T
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2147544
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
3
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXTP60N20
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
500 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
40 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220AB-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
40 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4530pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Series
Trenchв„ў ->
Qg - заряд затвора
73 nC
Время нарастания
13 ns
Время спада
13 ns
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
22 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXTP60N20T , pdf
, 139 КБ
Datasheet IXTP60N20T , pdf
, 135 КБ