ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP50N25T, Транзистор MOSFET N-канал 250В 50А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP50N25T, Транзистор MOSFET N-канал 250В 50А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTP50N25T, Транзистор MOSFET N-канал 250В 50А [TO-220]
Последняя цена
790 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 50 Amps 250V 50 Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP50N25T
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1774087
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.3
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXTP50N25
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
400 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
60 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
78 nC
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Техническая документация
IXTA50N25T , pdf
, 189 КБ
Datasheet IXTP50N25T , pdf
, 197 КБ
Datasheet , pdf
, 276 КБ