IXTP34N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 34А, 540Вт, TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 920 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 650V 34A (Tc) 540W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP34N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2197813

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Полярность транзистора

N Канал

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

34A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

540W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

96mOhm @ 17A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

X2-Class Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

34А

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Рассеиваемая Мощность

540Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.096Ом

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet , pdf , 284 КБ

IXTP34N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 34А, 540Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 920 руб.

Техническая документация