ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP200N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 200А, 360Вт, TO220-3, 49нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP200N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 200А, 360Вт, TO220-3, 49нс
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTP200N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 200А, 360Вт, TO220-3, 49нс
Последняя цена
550 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP200N055T2
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2093017
Технические параметры
Вес, г
3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
200A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
360W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
4.2mО© @ 50A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet IXTA200N055T2 , pdf
, 172 КБ
