IXTP1R6N50D2, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 1,6A 100Вт 2,3Ом TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP1R6N50D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2088964

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.8

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTP1R6N50

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

1.6 A

Pd - рассеивание мощности

100 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.75 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.6A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

100W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 800mA, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Qg - заряд затвора

23.7 nC

Время нарастания

70 ns

Время спада

41 ns

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 343 КБ

IXTP1R6N50D2, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 1,6A 100Вт 2,3Ом TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.

Техническая документация