IXTP12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 500V 12A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP12N50P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2102999

Технические параметры

Вес, г

2.04

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250ВµA

Series

Polarв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTP12N50P , pdf , 160 КБ

IXTP12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация