IXTP110N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 110А, 180Вт, TO220-3, 38нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 110 Amps 55V 0.0066 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP110N055T2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2094113

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

4.83 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTP110N055

Торговая марка

IXYS

Длина

10.66 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

110 A

Pd - рассеивание мощности

180 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

55 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

25 ns

Время спада

23 ns

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

18 ns

Техническая документация

Datasheet IXTP110N055T2 , pdf , 174 КБ

IXTP110N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 110А, 180Вт, TO220-3, 38нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация