IXTP08N100D2, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 0,8A 60Вт 21Ом TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 330 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 1000 В, 800 мА (Tc) 60 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP08N100D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2166836

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Вес, г

2.64

Mounting Type

Through Hole

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Полярность транзистора

N Канал

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

800mA (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21Ohm @ 400mA, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 5V

Transistor Mounting

Through Hole

Напряжение Измерения Rds(on)

0В

Напряжение Истока-стока Vds

1кВ

Непрерывный Ток Стока

800мА

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Рассеиваемая Мощность

60Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

21Ом

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 279 КБ

IXTP08N100D2, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 0,8A 60Вт 21Ом TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 330 руб.

Техническая документация