IXTP05N100M, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,7А, 25Вт, TO220FP, 710нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 0.5 Amps 1000V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP05N100M

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2115553

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Ширина

4.9 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTP05N100

Тип

High Voltage MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

10.36 mm

Высота

16.07 mm

Id - непрерывный ток утечки

700 mA

Pd - рассеивание мощности

25 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.55 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

15 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

7.8 nC

Время нарастания

19 ns

Время спада

28 ns

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Техническая документация

Datasheet IXTP05N100M , pdf , 107 КБ

IXTP05N100M, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,7А, 25Вт, TO220FP, 710нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация