IXTP02N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 0,2А, 33Вт, TO220-3, 1,6мкс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 1200 В 200 мА (Tc) 33 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP02N120P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2096319

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

33W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75Ohm @ 100mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100ВµA

Series

Polarв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 201 КБ

IXTP02N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 0,2А, 33Вт, TO220-3, 1,6мкс - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация