IXTK82N25P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO264, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1020 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 82 Amps 250V 0.035 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTK82N25P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2196754

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

9.7

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.31 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTK82N25

Тип

PolarHT Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

20.29 mm

Высота

26.59 mm

Id - непрерывный ток утечки

82 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264 (IXTK)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

35 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

82A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 41A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

PolarHTв„ў ->

Qg - заряд затвора

142 nC

Время нарастания

20 ns

Время спада

22 ns

Коммерческое обозначение

PolarHT

Типичное время задержки выключения

78 ns

Типичное время задержки при включении

29 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

142nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 160 КБ

IXTK82N25P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO264 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1020 руб.

Техническая документация