IXTH200N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 200А, 550Вт, TO247-3, 76нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 910 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 100V 200A (Tc) 550W (Tc) сквозное отверстие TO-247 (IXTH)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTH200N10T

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089624

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 (IXTH)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

550W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250ВµA

Series

TrenchMVв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTH200N10T , pdf , 174 КБ

IXTH200N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 200А, 550Вт, TO247-3, 76нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 910 руб.

Техническая документация