IXTH1N170DHV, Транзистор N-MOSFET, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO247HV, 30нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1750 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTH1N170DHV

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2094232

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

1 A

Pd - рассеивание мощности

290 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.7 kV

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

16 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Depletion

Qg - заряд затвора

47 nC

Время нарастания

38 ns

Время спада

216 ns

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

46 ns

Техническая документация

Datasheet IXTH1N170DHV , pdf , 247 КБ

IXTH1N170DHV, Транзистор N-MOSFET, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO247HV, 30нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1750 руб.

Техническая документация