IXTH16N20D2, Транзистор N-MOSFET, 200В, 16А, 695Вт, TO247-3, 607нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-CH 200V 16A МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTH16N20D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095074

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTH16N20D2

Тип

Depletion Mode MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

16 A

Pd - рассеивание мощности

695 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 (IXTH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

80 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

16A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

695W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 8A, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Qg - заряд затвора

208 nC

Время нарастания

130 ns

Время спада

135 ns

Типичное время задержки выключения

270 ns

Типичное время задержки при включении

46 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

208nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet IXTH16N20D2 , pdf , 162 КБ

IXTH16N20D2, Транзистор N-MOSFET, 200В, 16А, 695Вт, TO247-3, 607нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1850 руб.

Техническая документация