IXTH16N10D2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 16А, 830Вт, TO247-3, 940нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 100V 16A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-247 (IXTH)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTH16N10D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092927

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 (IXTH)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

16A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

830W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 8A, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 197 КБ

IXTH16N10D2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 16А, 830Вт, TO247-3, 940нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1850 руб.

Техническая документация