IXTB62N50L, Транзистор N-MOSFET, 500В, 62А, 800Вт, PLUS264™, 500нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel 500V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264в„ў

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTB62N50L

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2193105

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS264в„ў

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

62A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

11500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

800W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 31A, 20V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

550nC @ 20V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTB62N50L , pdf , 152 КБ

IXTB62N50L, Транзистор N-MOSFET, 500В, 62А, 800Вт, PLUS264™, 500нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 7150 руб.

Техническая документация