IXTA8N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 8А, 150Вт, TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 430 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 650V 8A (Tc) 150W (Tc) поверхностный монтаж TO-263

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA8N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2173397

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 3875 КБ
Datasheet , pdf , 239 КБ

IXTA8N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 8А, 150Вт, TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 430 руб.

Техническая документация