IXTA6N50D2, Транзистор N-MOSFET, 500В, 6А, 300Вт, TO263, 64нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 6A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA6N50D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182865

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

10.41 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTA6N50

Тип

Depletion Mode MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.8 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXTA)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

550 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3A, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Qg - заряд затвора

96 nC

Время нарастания

72 ns

Время спада

43 ns

Типичное время задержки выключения

82 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 187 КБ
Datasheet IXTA6N50D2 , pdf , 185 КБ

IXTA6N50D2, Транзистор N-MOSFET, 500В, 6А, 300Вт, TO263, 64нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 840 руб.

Техническая документация