ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTA2N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO263, 800нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTA2N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO263, 800нс
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTA2N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO263, 800нс
Последняя цена
490 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTA2N100P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2196559
Технические параметры
Вес, г
2.5
