IXTA200N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 200А, 360Вт, TO263, 49нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 55V 200A (Tc) 360W (Tc) Поверхностный монтаж TO-263 (IXTA)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA200N055T2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095920

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXTA)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

TrenchT2в„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTA200N055T2 , pdf , 172 КБ

IXTA200N055T2, Транзистор N-MOSFET, 55В, 200А, 360Вт, TO263, 49нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация