IXTA1N170DHV, Транзистор N-MOSFET, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO263HV, 30нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA1N170DHV

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095650

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

1 A

Pd - рассеивание мощности

290 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.7 kV

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

570 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

16 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

290W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16Ohm @ 500mA, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Qg - заряд затвора

47 nC

Время нарастания

38 ns

Время спада

216 ns

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

46 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet IXTA1N170DHV , pdf , 241 КБ
Datasheet IXTA1N170DHV , pdf , 238 КБ

IXTA1N170DHV, Транзистор N-MOSFET, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO263HV, 30нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 2130 руб.

Техническая документация