IXTA12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 12А, 100Вт, TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA12N50P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2183455

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.54

Ширина

10.41 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTA12N50P

Тип

Polar Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7.5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

500 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

29 nC

Время нарастания

27 ns

Время спада

20 ns

Коммерческое обозначение

Polar

Типичное время задержки выключения

65 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Техническая документация

Datasheet IXTA12N50P , pdf , 157 КБ

IXTA12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 12А, 100Вт, TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация