ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGP20N120B3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGP20N120B3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGP20N120B3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3
Последняя цена
890 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Дискретные IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGP20N120B3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2085040
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
TO-220
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.66mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Power Dissipation
180 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Height
16мм
Pin Count
2
Dimensions
10.66 x 4.83 x 16mm
Switching Speed
20кГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Вес, г
2
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
50
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Серия
IXGP20N120
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet IXGP20N120B3 , pdf
, 212 КБ