ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic:…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B
Последняя цена
4390 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGN50N120C3H1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2092308
Технические параметры
Вес, г
30.01
