ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGN320N60A3, Модуль IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGN320N60A3, Модуль IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGN320N60A3, Модуль IGBT
Последняя цена
2920 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGN320N60A3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253962
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
SOT-227B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Brand
IXYS
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Configuration
Общий эмиттер
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
25.07мм
Длина
38.23мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
320 A
Максимальное рассеяние мощности
735 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Число контактов
4
Размеры
38.23 x 25.07 x 9.6мм
Скорость переключения
5кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
25.07мм
Конфигурация
Одинарный
Вес, г
32