IXGK100N170, Транзистор IGBT, NPT, 1,7кВ, 100А, 830Вт, TO264, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4970 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXGK100N170

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2086678

Технические параметры

Вес, г

Вид монтажа:

Through Hole

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер:

20 V

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

1.7 kV

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:

600 A

Подкатегория:

IGBTs

Производитель:

IXYS

Размер фабричной упаковки:

Серия:

IXGK100N170

Технология:

Тип продукта:

IGBT Transistors

Торговая марка:

IXYS

Упаковка / блок:

TO-264-3

Упаковка:

Tube

Pd - рассеивание мощности:

830 W

Высота:

26.59 mm

Диапазон рабочих температур:

- 55 C to + 150 C

Длина:

20.29 mm

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

2.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C:

170 A

Непрерывный коллекторный ток:

170 A

Ток утечки затвор-эмиттер:

200 nA

Ширина:

5.31 mm

Техническая документация

Datasheet IXGK100N170 , pdf , 195 КБ

IXGK100N170, Транзистор IGBT, NPT, 1,7кВ, 100А, 830Вт, TO264 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4970 руб.

Техническая документация