ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH72N60B3 транзистор, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH72N60B3 транзистор, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH72N60B3 транзистор, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo
Последняя цена
820 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH72N60B3 транзистор
P/N
IXGH72N60B3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1811921
Технические параметры
Вес, г
6
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Корпус
TO-247AD
Технология/семейство
genx3, pt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
540
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
150
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
400
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
31
Техническая документация
Datasheet IXGH72N60B3 , pdf
, 189 КБ