ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH48N60B3D1, Транзистор БТИЗ, 600В 48A 300Вт TO247AD - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH48N60B3D1, Транзистор БТИЗ, 600В 48A 300Вт TO247AD
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH48N60B3D1, Транзистор БТИЗ, 600В 48A 300Вт TO247AD
Последняя цена
970 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH48N60B3D1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2094970
Технические параметры
Base Product Number
IXG*48N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD (IXGH)
Длина
16.26 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
21.46 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
280A
Gate Charge
115nC
Power - Max
300W
Switching Energy
840ВµJ (on), 660ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
22ns/130ns
Test Condition
480V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 32A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
100ns
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
IGBT Type
PT
Ширина
5.3 mm
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Pd - рассеивание мощности
300 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
280 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247AD-3
Серия
IXGH48N60
Технология
Si
Series
GenX3в„ў ->
Коммерческое обозначение
GenX3
Непрерывный коллекторный ток
48 A
Диапазон рабочих температур
55 C to + 150 C
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXGH48N60B3D1 , pdf
, 202 КБ
Datasheet IXGH48N60B3D1 , pdf
, 203 КБ
