ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH40N120B2D1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH40N120B2D1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH40N120B2D1, IGBT
Последняя цена
1730 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT PT 1200V 75A 380W сквозное отверстие TO-247AD (IXGH)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH40N120B2D1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253959
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
ixys
Base Product Number
IXG*40N120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD (IXGH)
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
16.26мм
Конфигурация транзистора
одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.46мм
Число контактов
3
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
75A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
Gate Charge
138nC
Power - Max
380W
Switching Energy
4.5mJ (on), 3mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
21ns/290ns
Test Condition
960V, 40A, 2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
100ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
PT
Ширина
5.3мм
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet IXGH40N120B2D1 , pdf
, 216 КБ
Datasheet , pdf
, 216 КБ