IXGH32N120A3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1050 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1200V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXGH32N120A3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2116480

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXGH)

Длина

16.26 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

21.46 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

75A

Current - Collector Pulsed (Icm)

230A

Gate Charge

89nC

Power - Max

300W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

IGBT Type

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

75 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247AD-3

Серия

IXGH32N120

Технология

Series

GenX3в„ў ->

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 198 КБ
Datasheet IXGH32N120A3 , pdf , 196 КБ

IXGH32N120A3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1050 руб.

Техническая документация