IXGH30N120B3D1, IGBT - характеристики, поставщики

IXGH30N120B3D1, IGBT

Последняя цена 1110 руб.

IXGH30N120B3D1, IGBT

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXGH30N120B3D1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1253957

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

IXYS

Package Type

TO-247

Base Product Number

IXG*30N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXGH)

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Длина

16.26 mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.46 mm

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Current - Collector Pulsed (Icm)

150A

Gate Charge

87nC

Power - Max

300W

Switching Energy

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

16ns/127ns

Test Condition

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

PT

Ширина

5.3 mm

Pd - рассеивание мощности

300 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.96 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

50 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

150 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

30

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247AD-3

Серия

IXGH30N120

Технология

Si

Series

GenX3в„ў ->

Коммерческое обозначение

GenX3

Непрерывный коллекторный ток

30 A

Диапазон рабочих температур

55 C to + 150 C

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 217 КБ
Datasheet IXGH30N120B3D1 , pdf , 215 КБ