ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH24N120C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 24А, 250Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH24N120C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 24А, 250Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH24N120C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 24А, 250Вт, TO247-3
Последняя цена
870 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH24N120C3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2124940
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Pd - рассеивание мощности
250 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
48 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247AD-3
Серия
IXGH24N120
Технология
Si