ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGH100N30C3, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGH100N30C3, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGH100N30C3, IGBT
Последняя цена
560 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGH100N30C3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253953
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
TO-247AD
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.26mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Continuous Collector Current
75 А
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.3мм
Pin Count
3
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Высота
21.46mm