ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFX80N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 80А, 1040Вт, PLUS247™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFX80N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 80А, 1040Вт, PLUS247™
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFX80N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 80А, 1040Вт, PLUS247™
Последняя цена
2630 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 500V 80A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFX80N50P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2079985
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
6
Ширина
5.21 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
30
Серия
IXFX80N50
Торговая марка
IXYS
Длина
16.13 mm
Высота
21.34 mm
Id - непрерывный ток утечки
80 A
Pd - рассеивание мощности
1.04 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
70 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
65 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
197 nC
Время нарастания
27 ns
Время спада
16 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Техническая документация
Datasheet IXFX80N50P , pdf
, 274 КБ