ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFX32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, полевой, 1кВ, 32А, 1250Вт, PLUS247™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFX32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, полевой, 1кВ, 32А, 1250Вт…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFX32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, полевой, 1кВ, 32А, 1250Вт, PLUS247™
Последняя цена
3680 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/32A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFX32N100Q3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2184626
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
6
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
30
Серия
IXFX32N100
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
32 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 kW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1 kV
Вид монтажа
Through Hole
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PLUS247в„ў-3
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
320 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Series
HiPerFETв„ў ->
Qg - заряд затвора
195 nC
Время нарастания
250 ns
Коммерческое обозначение
HyperFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1961 КБ
Datasheet , pdf
, 125 КБ